据韩媒ZDNET Korea报道，三星电子存储器业务调整了先进内存技术路线图：首代亚10nm级DRAM将采用混合键合（Hybrid Bonding）结构，原计划的4F²垂直通道晶体管（VCT）方案被调整，混合键合节点“B1b”被扶正为新的“D0a”。

混合键合通过金属-金属直接键合取代传统凸点（Bump）连接，可显著提升I/O密度与带宽，对高带宽内存（HBM类）与AI服务器场景尤为关键。这意味着未来几代DRAM的竞争，将从“制程微缩”延伸到“封装互连”维度。

对服务器与AI基础设施开发者而言，内存带宽与能效的提升路径正变得更加立体，选型评估也需要把封装技术纳入考量。

来源：IT之家